半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底内具有阱区，阱区内具有第一类型离子；采用第一防穿通注入工艺在阱区内注入第一类型离子，第一防穿通注入工艺的注入深度小于阱区底部到衬底顶部表面的距离，在阱区内形成防穿通区；采用第二防穿通注入工艺在阱区内注入碳离子，在阱区内形成碳掺杂区，碳离子的掺杂浓度大于防穿通区内的第一类型离子掺杂浓度，碳掺杂区包围防穿通区；采用第三防穿通注入工艺在阱区内注入氮离子，第三防穿通注入的深度、小于第一防穿通注入和第二防穿通注入的深度，在阱区内形成氮掺杂区，氮掺杂区位于防穿通区与衬底顶部表面之间。所述半导体结构的形成方法能够改善半导体器件的性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有阱区，所述阱区内具有第一类型离子；采用第一防穿通注入工艺在所述阱区内注入第一类型离子，所述第一防穿通注入工艺的注入深度小于所述阱区底部到衬底顶部表面的距离，在所述阱区内形成防穿通区；采用第二防穿通注入工艺在所述阱区内注入碳离子，在所述阱区内形成碳掺杂区，所述碳离子的掺杂浓度大于所述防穿通区内的第一类型离子掺杂浓度，所述碳掺杂区包围所述防穿通区；采用第三防穿通注入工艺在所述阱区内注入氮离子，所述第三防穿通注入的深度、小于所述第一防穿通注入和第二防穿通注入的深度，在所述阱区内形成氮掺杂区。