| 发明名称 | 消除电子束扫描导致的缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种消除电子束扫描导致的缺陷的方法，提供一晶圆，所述晶圆进行过第一次电子束扫描工艺；对经过第一次电子束扫描工艺的晶圆进行表面处理工艺，直至将位于所述晶圆表面的残留电荷消除，具体地，这种表面处理工艺包括将晶圆进行第二次电子束扫描、放入真空腔体静置，然后对晶圆进行热处理和使用离子溶液对晶圆表面进行清洗这两种工艺的至少一种。使用上述方法能够使晶圆表面的残留电荷被消除或者使电荷重新有序排列，不用破坏晶圆的结构，简单方便，能有效提高晶圆的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN106449385A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201611087812.X | 申请日期 | 2016.11.30 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 范荣伟;陈宏璘;龙吟;蔡坤 |
| 分类号 | H01L21/26(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种消除电子束扫描导致的缺陷的方法，其特征在于，包括：提供一晶圆，所述晶圆进行过第一次电子束扫描工艺；对经过第一次电子束扫描工艺的晶圆进行表面处理工艺，直至将位于所述晶圆表面的残留电荷消除。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||