含有硅掺杂氮化铝层的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种含有硅掺杂氮化铝层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底、设在该衬底上部的籽晶层、设在该籽晶层上部的缓冲层以及设在该缓冲层上部的Ⅲ族氮化物外延层。本发明通过在氮化铝中掺杂一定浓度的硅，在硅衬底上中生长包含硅掺杂氮化铝层的籽晶层，硅掺杂氮化铝与硅原子的晶格失配数比较接近，硅掺杂氮化铝层在硅基底上更好的成长，可以有效的阻止硅由衬底扩散进入氮化镓外延层，减少了硅与氮化镓的反应，改善了氮化镓或氮镓铝/氮化镓薄膜的品质，提高了半导体器件的工作性能。

主权项

一种含有硅掺杂氮化铝层的半导体器件，其特征在于，包括：衬底；籽晶层，所述籽晶层设在所述衬底的上部，所述籽晶层包含硅掺杂氮化铝层，所述硅掺杂氮化铝层中硅的掺杂浓度小于2E19；缓冲层，所述缓冲层设置在所述籽晶层的上部；以及Ⅲ族氮化物外延层，所述Ⅲ族氮化物外延层设置在所述缓冲层的上部。