| 发明名称 | 一种高性能ZnS基底复合硬质保护薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种高性能ZnS基底复合增透硬质保护薄膜的制备方法，属于高性能红外硬质保护薄膜制备技术。其主要特征为：采用离子束反应溅射法连续制备由高折射率的碳化锗(Ge<sub>1‑</sub><sub>x</sub>C<sub>x</sub>)薄膜与低折射率、高硬度的类金刚石(DLC)薄膜组成复合硬质保护薄膜。该复合薄膜膜系简单，工艺可操控性和稳定性强。通过在ZnS基底沉积复合硬质保护薄膜，可以极大改进ZnS基底的光学特性和机械特性。 | ||
| 申请公布号 | CN106435493A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201610959079.X | 申请日期 | 2016.11.03 |
| 申请人 | 天津津航技术物理研究所 | 发明人 | 孙鹏;张锋;季一勤;刘华松;冷健;尚鹏;杨霄;杨明 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人 | 刘东升 |
| 主权项 | 一种高性能ZnS基底复合硬质保护薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：离子束反应溅射法制备Ge<sub>1‑x</sub>C<sub>x</sub>过渡层选用ZnS基片作为基底，通过离子束反应溅射法在ZnS基底上制备Ge<sub>1‑x</sub>C<sub>x</sub>薄膜；S2：离子束反应溅射法制备DLC薄膜在Ge<sub>1‑x</sub>C<sub>x</sub>薄膜上方，通过离子束反应溅射法制备DLC薄膜。 | ||
| 地址 | 300308 天津市东丽区空港经济开发区中环西路58号 | ||