制备具有室温宽频大磁电容效应的铁氧体外延薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种制备具有室温宽频大磁电容效应的铁氧体外延薄膜的方法，包括步骤：(1)制备以AFe_12‑xM_xO₁₉表示组成的铁氧体，其中A为Ba元素或Sr元素中的至少一种，M为Sc元素、Mg元素或Cr元素中的至少一种，x是M的含量：0＜x≤4；(2)在真空背景下，利用脉冲激光对铁氧体进行轰击，将轰击出来的铁氧体材料沉淀在基片上，在基片上生长铁氧体外延薄膜，其中，所述基片为单晶Si基片、Si/Pt基片、单晶Al₂O₃基片和单晶SrTiO₃基片中的一种；(3)在铁氧体外延薄膜生长完后进行降温处理；(4)对铁氧体外延薄膜进行后退火处理。本发明制备的铁氧体外延薄膜具有室温宽频大磁电容效应，弥补了现有单相磁电容薄膜材料室温磁电容效应弱和频率范围窄的缺点。

主权项

一种制备具有室温宽频大磁电容效应的铁氧体外延薄膜的方法，其特征在于，包括步骤：(1)制备以AFe_12‑xM_xO₁₉表示组成的铁氧体，其中A为Ba元素或Sr元素中的至少一种，M为Sc元素、Mg元素或Cr元素中的至少一种，x是M的含量：0＜x≤4；(2)在真空背景下，利用脉冲激光对铁氧体进行轰击，将轰击出来的铁氧体材料沉淀在基片上，在基片上生长铁氧体外延薄膜，其中，所述基片为单晶Si基片、Si/Pt基片、单晶Al₂O₃基片和单晶SrTiO₃基片中的一种；(3)在铁氧体外延薄膜生长完后进行降温处理；(4)对铁氧体外延薄膜进行后退火处理。