| 发明名称 | 基于负微分电阻的存储器 | ||
| 摘要 | 描述了一种存储器位单元，包括：储存节点；存取晶体管，该存取晶体管耦合到储存节点；电容器，该电容器具有耦合到储存节点的第一端子；以及一个或多个负微分电阻器件，该一个或多个负微分电阻器件耦合到储存节点，以使得存储器位单元不具有接地线或电源线的其中之一或两者。 | ||
| 申请公布号 | CN106463509A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201480079614.1 | 申请日期 | 2014.07.08 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | D·H·莫里斯;U·E·阿维奇;R·里奥斯;I·A·扬 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;韩宏 |
| 主权项 | 一种存储器位单元，包括：储存节点；存取晶体管，所述存取晶体管耦合到所述储存节点；电容器，所述电容器具有耦合到所述储存节点的第一端子；以及一个或多个负微分电阻器件，所述一个或多个负微分电阻器件耦合到所述储存节点，以使得所述存储器位单元不具有接地线或电源线的其中之一或两者。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||