具有注入及辐射通道的电阻式随机存取存储器

摘要

描述了具有提高的均匀性的电阻式RAM(RRAM)装置及相关制造方法。通过使用辐射损伤在开关层中均匀地创建增强的通道可以实现跨包括较大数目的RRAM单元的芯片上的性能的较高均匀性。根据各种描述的实施方式，辐射可以为离子、电磁光子、中性粒子、电子和超声波的形式。

主权项

一种电阻式随机存取存储器装置，包括：第一电极；第二电极；以及开关区，所述开关区在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括一个或更多个迁移率增强型路径结构，所述一个或更多个迁移率增强型路径结构在所述开关区中的相应位置处延伸并且被配置成提供带电粒种的增强的迁移率并且具有随着施加在所述第一电极和所述第二电极之间的开关电压而变化的相应电阻，其中，所述迁移率增强型路径结构包括由离子注入引起的在所述开关区中的损伤，所述离子注入包括在穿过所述开关区之后沉积在所述开关区外部的离子。