| 摘要 |
가변 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 셀 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판을 준비하고, 상기 주변 영역에 주변 트랜지스터를 형성하고, 상기 주변 트랜지스터 및 상기 기판을 덮는 층간 절연막을 형성하고, 상기 층간 절연막을 패터닝하여 상기 셀 영역에 리세스 영역을 형성하고, 상기 리세스 영역 및 상기 층간 절연막 상에 가변 저항 물질막을 형성하고, 상기 주변 영역의 상기 가변 저항 물질막을 제거하고, 평탄화 공정에 의하여 가변 저항 물질 패턴을 형성한다. |
