| 发明名称 | 半极性晶体结构的制造 | ||
| 摘要 | 一种生长III族氮化物晶体方法，包括：提供硅衬底(12)；在衬底上形成第一掩模(10)，该掩模具有多个通过该掩模的孔(14)，每个孔暴露硅衬底的相应区域；蚀刻由每个孔暴露的硅，以形成具有多个面(18、20、22、24)的相应的凹槽(16)；在每个凹槽的一些面的上方沉积第二掩模，留下每个凹槽的至少一个面(22)暴露；并在所暴露的面(22)上生长III族氮化物，然后，在衬底上方生长III族氮化物，以形成连续层。 | ||
| 申请公布号 | CN106463346A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201580030314.9 | 申请日期 | 2015.06.08 |
| 申请人 | 塞伦光子学有限公司 | 发明人 | 王涛 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 陈鹏;李静 |
| 主权项 | 一种生长III族氮化物的晶体结构的方法，包括：提供硅衬底；在所述衬底上形成第一掩模，所述掩模具有穿过该掩模的多个孔，每个所述孔暴露所述硅衬底的相应区域；蚀刻由每个所述孔暴露的硅以形成具有多个面的相应的凹槽；在每个凹槽的一些面的上方沉积第二掩模，留下每个凹槽的至少一个面暴露；并在所暴露的面上生长所述III族氮化物，然后在所述衬底的上方生长所述III族氮化物，以形成连续层。 | ||
| 地址 | 英国布里真德 | ||