发明名称 |
一种通用版图临近效应表征模型及其提取方法 |
摘要 |
本发明公开了一种通用版图临近效应表征模型及其提取方法,该方法包括如下步骤:设计LPE模型的器件结构;测量与LPE模型相关的数据;引入与陪衬多晶硅尺寸相关的函数,建立LPE模型;调整所建立的LPE模型的参数,对与陪衬多晶硅尺寸相关的LPE模型进行曲线拟合;若拟合结果满足要求,则对所建立的LPE模型进行模型验证;本发明通过调整与陪衬多晶硅尺寸相关的参数,可以使得该模型更准确表征与器件在不同周边环境下的特性,从而建立更为精确且更实用的模型。 |
申请公布号 |
CN106446476A |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201611053506.4 |
申请日期 |
2016.11.25 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
张瑜;商干兵;俞柳江 |
分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
智云 |
主权项 |
一种通用版图临近效应表征模型,其特征在于:在原有模型中加入与陪衬多晶硅尺寸相关的函数,通过调整模型中与陪衬多晶硅尺寸相关的模型参数,以对该模型进行曲线拟合,从而建立更为精确的器件模型。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 |