用于制备抗蚀剂下层膜的聚合物，含有其的组合物及使用该组合物制造半导体装置的方法

摘要

本发明提供用于制造半导体和显示器工艺的新聚合物，含有所述用于半导体和显示器制造工艺的聚合物的抗蚀剂下层膜组合物，以及使用所述组合物制造半导体装置的方法，更具体而言，本公开的新聚合物同时具有优化的蚀刻选择性和平坦化特性，使得含有所述聚合物的抗蚀剂下层膜组合物可用作多层半导体光刻工艺用的硬掩膜。

主权项

用于制备抗蚀剂下层膜的聚合物，其包含：由以下化学式1表示的重复单元：[化学式1]在化学式1中，Ar为(C10‑C100)亚芳基，其中Ar的亚芳基可进一步地被选自(C1‑C20)烷基、(C3‑C20)环烷基、(C2‑C20)烯基、(C3‑C20)环烯基、(C2‑C20)炔基、4‑元至10‑元杂环烷基、(C6‑C20)芳基、(C3‑C20)杂芳基、卤素、氰基、羟基、(C1‑C20)烷氧基、(C3‑C20)环烷氧基、(C6‑C20)芳氧基、(C1‑C20)烷硫基、(C3‑C20)环烷硫基、(C6‑C20)芳硫基、(C1‑C20)烷基羰基、(C2‑C20)烯基羰基、(C6‑C20)芳基羰基、(C3‑C20)环烷基羰基和(C3‑C20)环烯基羰基中的一个或多个取代基取代；L为Ar₁和Ar₂各自独立地为(C6‑C30)亚芳基；Ar₃为三价的(C6‑C30)亚芳基；Ar₄为(C6‑C30)芳基；Ar₁、Ar₂和Ar₃的亚芳基以及Ar₄的芳基可进一步地被选自(C1‑C10)烷基、(C3‑C10)环烷基、(C6‑C20)芳基、(C1‑C10)烷氧基、(C6‑C20)芳氧基、(C1‑C10)烷基(C6‑C20)芳基和(C6‑C20)芳基(C1‑C10)烷基中的一个或多个取代基取代；R为氢、(C1‑C20)烷基、(C3‑C10)环烷基或(C6‑C20)芳基，并且R的烷基、环烷基或芳基可进一步地被选自(C1‑C10)烷基、(C3‑C10)环烷基和(C6‑C20)芳基中的一个或多个取代基取代；w为1‑5的整数；以及杂芳基和杂环烷基包含选自B、N、O、S、P(＝O)、Si、Se和P中的一个或多个杂原子。