一种山奈酚分子印迹膜电化学传感器的制备方法

摘要

本发明公开了一种山奈酚分子印迹膜电化学传感器的制备方法，玻碳电极依次用0.3、0.05 μm Al₂O₃悬浊液在鹿皮上打磨抛光后，用水清洗干净后，将电极依次置于1:1硝酸、无水乙醇和二次水中，超声清洗5min，最后用二次水冲洗干净待用；将玻碳电极为工作电极、铂片电极为对电极、饱和甘汞电极为参比电极的三电极体系放入配置好的Na₂HPO₄‑NaH₂PO₄缓冲溶液当中，该溶液当中含有山奈酚、邻苯二胺，浓度分别为0.2mmol/l与4mmol/l，pH值控制在6.0左右，在0～0.8V 电位区间内，循环伏安扫描20圈，扫描速率为50mV/s，然后将电极放置于氢氧化钠溶液中30分钟，以除去印迹聚合物中的模板分子‑山奈酚，即得到山奈酚分子印迹电极。

主权项

一种山奈酚分子印迹膜电化学传感器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：1）电极的预处理玻碳电极依次用0.3、0.05 μm Al₂O₃悬浊液在鹿皮上打磨抛光后，用水清洗干净后，将电极依次置于1:1硝酸、无水乙醇和二次水中，超声清洗5min，最后用二次水冲洗干净待用；2）电极的制备将玻碳电极为工作电极、铂片电极为对电极、饱和甘汞电极为参比电极的三电极体系放入配置好的Na₂HPO₄‑NaH₂PO₄缓冲溶液当中，该溶液当中含有山奈酚、邻苯二胺，浓度分别为0.2mmol/l与4mmol/l，pH值控制在6.0左右，在0～0.8V 电位区间内，循环伏安扫描20圈，扫描速率为50mV/s，然后将电极放置于氢氧化钠溶液中30分钟，以除去印迹聚合物中的模板分子‑山奈酚，即得到山奈酚分子印迹电极。