光电子半导体器件

摘要

提出一种光电子半导体器件，具有：至少一个发射辐射的半导体芯片（2），所述半导体芯片具有辐射耦合输出面（22），在半导体芯片（2）中产生的电磁辐射的至少一部分穿过所述辐射耦合输出面离开半导体芯片（2）；至少一个至少局部地在半导体芯片（2）的下游设置在其辐射耦合输出面（22）上的辐射可穿透的本体（3），所述本体与半导体芯片（2）至少间接地接触，其中辐射可穿透的本体（3）由至少一种聚合物形成或者包含至少一种聚合物，并且聚合物的每个单体由至少一种硅氮烷形成。

主权项

一种光电子半导体器件(100)，具有：‑至少一个发射辐射的半导体芯片(2)，所述半导体芯片具有辐射耦合输出面(22)，在所述半导体芯片(2)中产生的电磁辐射的至少一部分穿过所述耦合输出面(22)离开所述半导体芯片(2)；‑至少一个辐射可穿透的本体(3)，所述辐射可穿透的本体(3)至少局部地在所述半导体芯片(2)的下游设置在半导体芯片(2)的辐射耦合输出面(22)上，所述辐射可穿透的本体与所述半导体芯片(2)至少间接地接触，其中‑所述辐射可穿透的本体(3)具有物理的和/或机械的材料去除的痕迹(35)，‑所述辐射可穿透的本体(3)是小板(32)或膜(33)，其中‑至少一种发光转换材料(4)引入到所述辐射可穿透的本体(3)中，所述发光转换材料适合于吸收一定波长范围的电磁辐射并且适合于将所述吸收的电磁辐射以与所吸收的辐射相比更大波长的另外的波长范围再发射，‑在所述辐射可穿透的本体(3)和所述辐射耦合输出面(22)之间设置有至少一个辐射可穿透的粘附层(5)，以及‑所述辐射可穿透的粘附层(5)由聚硅氮烷构成，其中在制造公差的范围中，所述粘附层(5)不具有所述发光转换材料和不具有另外的杂质颗粒，以及‑所述辐射可穿透的本体(3)由至少一种聚合物形成或者包含至少一种聚合物，并且‑所述聚合物的每个单体由至少一种硅氮烷形成。