发明名称 |
用于非易失性存储器的冗余系统 |
摘要 |
描述了一种用于非易失性存储器(NVM)的冗余方案。该冗余方案提供用于在非易失性存储器中使用缺陷单元以提高成品率的手段。算法基于当在单元组中检测到缺陷单元时,针对将要被编程至单元组的数据将编程数据反相。缺陷单元被偏置为逻辑状态“1”或“0”,其被有效地预设以存储其偏置逻辑状态。待被存储在缺陷单元中的、具有与该单元的偏置逻辑状态互补的逻辑状态的数据位导致编程数据被反相并且被编程。反相状态位被编程,以指示编程数据的反相后的状态。在读取期间,反相状态位使得已存储的数据将被重新反相为其原始的编程数据状态。 |
申请公布号 |
CN106463177A |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201580011531.3 |
申请日期 |
2015.01.22 |
申请人 |
赛鼎矽公司 |
发明人 |
沃德克·库尔贾诺韦茨;穆拉德·阿布达特 |
分类号 |
G11C17/18(2006.01)I;G11C29/04(2006.01)I |
主分类号 |
G11C17/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
代理人 |
严芬;宋志强 |
主权项 |
一种非易失性存储器,包括:用于存储n位条目的n个数据单元,其中所述n个数据单元的缺陷数据单元能设定为永久逻辑状态;各自在两个状态之间能编程的至少两个反相状态单元,其中第一逻辑状态组合指示将对所述n个数据单元执行反相操作,并且第二逻辑状态组合指示将不执行反相操作,所述至少两个反相状态单元中的缺陷单元能设定为永久逻辑状态,并且所述至少两个反相状态单元中的可操作单元能编程为两个逻辑状态中的一个,以实现所述第一逻辑状态组合或所述第二逻辑状态组合;以及联接至所述n个数据单元和所述至少两个反相状态单元的反相处理器,所述反相处理器被配置为基于所述至少两个反相状态单元的所述第一逻辑状态组合或所述第二逻辑状态组合,来输出所述n位条目或所述n位条目的反相。 |
地址 |
加拿大安大略湖 |