| 发明名称 | 读取高速缓冲存储器 | ||
| 摘要 | 本发明包含用于读取高速缓冲存储器的方法及设备。一种设备包含读取高速缓冲存储器设备，其包括：第一DRAM阵列；第一及第二NAND阵列；及控制器，其经配置以管理数据在所述DRAM阵列与所述第一NAND阵列之间及在所述第一NAND阵列与所述第二NAND阵列之间的移动。 | ||
| 申请公布号 | CN106463161A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201580025894.2 | 申请日期 | 2015.05.18 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 尤金·枫;马修·阿尔科莱奥 |
| 分类号 | G11C7/10(2006.01)I;G06F12/0895(2016.01)I | 主分类号 | G11C7/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 路勇 |
| 主权项 | 一种设备，其包括：读取高速缓冲存储器装置，其包括：动态随机存取存储器DRAM阵列；及第一NAND阵列及第二NAND阵列；及控制器，其经配置以：管理数据在所述DRAM阵列与所述第一NAND阵列之间及在所述第一NAND阵列与所述第二NAND阵列之间的移动。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||