| 发明名称 | QLED器件发光层的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种QLED器件发光层的制备方法，包括：步骤A，用油溶性量子点溶液在正交溶剂的液面上形成薄膜；步骤B，将所述薄膜转移到所述基板的表面上；步骤C，将转移后的薄膜进行高温处理，从而得到所述QLED器件发光层。本发明提供的制备方法具有工艺简单，可以实现大面积显示的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN106450010A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201610685196.1 | 申请日期 | 2016.08.18 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 徐超 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人 | 吴大建 |
| 主权项 | 一种QLED器件发光层的制备方法，包括：步骤A，用油溶性量子点溶液在正交溶剂的液面上形成薄膜；步骤B，将所述薄膜转移到所述基板的表面上；步骤C，将转移后的薄膜进行高温处理，从而得到所述QLED器件发光层。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 | ||