发明名称 一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法
摘要 一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法,首先,从某一批衬底对应的外延片中任意挑选一片,进行光刻、腐蚀、研磨、解理;其中,在光刻工艺完成后测量光刻图形与晶圆平边之间的偏转角度,在解理工艺完成后测量解理边与光刻图形之间的偏转角度,计算得出晶圆平边与解理边之间的偏转角度;然后,根据计算出的晶圆平边与解理边之间的偏转角度,在作业该衬底批次后续晶圆的第一步光刻时,人为地对晶圆平边与解理边之间的偏转进行补偿。本发明提出一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法,消除了晶圆平边和解理边的偏转不可控的因素,有效提高砷化镓激光芯片的成品率,且实现成本较低。
申请公布号 CN106444307A 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201610874047.X 申请日期 2016.09.30
申请人 西安立芯光电科技有限公司 发明人 孙丞;杨国文
分类号 G03F9/00(2006.01)I 主分类号 G03F9/00(2006.01)I
代理机构 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人 胡乐
主权项 一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法,其特征在于:首先,从某一批衬底对应的外延片中任意挑选一片,进行光刻、腐蚀、研磨、解理;其中,在光刻工艺完成后测量光刻图形与晶圆平边之间的偏转角度,在解理工艺完成后测量解理边与光刻图形之间的偏转角度,计算得出晶圆平边与解理边之间的偏转角度;然后,根据计算出的晶圆平边与解理边之间的偏转角度,在作业该衬底批次后续晶圆的第一步光刻时,人为地对晶圆平边与解理边之间的偏转进行补偿。
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