发明名称 |
一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法 |
摘要 |
一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法,首先,从某一批衬底对应的外延片中任意挑选一片,进行光刻、腐蚀、研磨、解理;其中,在光刻工艺完成后测量光刻图形与晶圆平边之间的偏转角度,在解理工艺完成后测量解理边与光刻图形之间的偏转角度,计算得出晶圆平边与解理边之间的偏转角度;然后,根据计算出的晶圆平边与解理边之间的偏转角度,在作业该衬底批次后续晶圆的第一步光刻时,人为地对晶圆平边与解理边之间的偏转进行补偿。本发明提出一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法,消除了晶圆平边和解理边的偏转不可控的因素,有效提高砷化镓激光芯片的成品率,且实现成本较低。 |
申请公布号 |
CN106444307A |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201610874047.X |
申请日期 |
2016.09.30 |
申请人 |
西安立芯光电科技有限公司 |
发明人 |
孙丞;杨国文 |
分类号 |
G03F9/00(2006.01)I |
主分类号 |
G03F9/00(2006.01)I |
代理机构 |
西安智邦专利商标代理有限公司 61211 |
代理人 |
胡乐 |
主权项 |
一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法,其特征在于:首先,从某一批衬底对应的外延片中任意挑选一片,进行光刻、腐蚀、研磨、解理;其中,在光刻工艺完成后测量光刻图形与晶圆平边之间的偏转角度,在解理工艺完成后测量解理边与光刻图形之间的偏转角度,计算得出晶圆平边与解理边之间的偏转角度;然后,根据计算出的晶圆平边与解理边之间的偏转角度,在作业该衬底批次后续晶圆的第一步光刻时,人为地对晶圆平边与解理边之间的偏转进行补偿。 |
地址 |
710077 陕西省西安市高新开发区丈八六路56号2号楼1层 |