一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构

摘要

本发明公开一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构，其包括：主转动盘，该主转动盘上开设有若干托盘槽；若干用于承载SiC晶片的卫星盘，其以可转动的方式安装于托盘槽中；支撑杆，其上端与主转动盘固定；主转动盘中设有若干分别位于托盘槽下方的隧道，主转动盘底部设置有贯穿隧道的垂直孔道，支撑杆中设置的贯穿的腔道与垂直孔道对接，托盘槽底部向下开设有至少两个倾斜状态并与隧道连通的倾斜孔；腔道与垂直孔道、隧道及倾斜孔形成连通托盘槽的气通道，气通道流入气体后，气体通过倾斜孔后驱动卫星盘自转。由于卫星盘可自转，以此有利于提高SiC晶片外延生长包括厚度与掺杂浓度在内的片内均匀性和片间均匀性，以满足不同的使用要求。

主权项

一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构，其特征在于：其包括：主转动盘(1)，该主转动盘(1)上开设有若干托盘槽(11)；若干用于承载SiC晶片的卫星盘(2)，其以可转动的方式安装于该主转动盘(1)的托盘槽(11)中；支撑杆(3)，其上端与主转动盘(1)固定；所述主转动盘(1)中设置有若干分别位于托盘槽(11)下方的隧道(12)，且该主转动盘(1)底部设置有贯穿隧道(12)的垂直孔道(13)，所述支撑杆(3)中设置的贯穿的腔道(31)与垂直孔道(13)对接，所述托盘槽(11)底部向下开设有至少两个倾斜状态并与隧道(12)连通的倾斜孔(14)；该腔道(31)与垂直孔道(13)、隧道(12)及倾斜孔(14)形成连通托盘槽(11)的气通道，该气通道流入气体后，气体通过倾斜孔(14)后驱动卫星盘(2)自转。