| 发明名称 | 一种具有陷光结构的量子点发光二极管器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种具有陷光结构的量子点发光二极管器件及其制备方法，所述器件依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层以及顶电极，其特征在于，所述衬底采用具有陷光结构的BZO玻璃。本发明采用自身具有陷光结构的BZO玻璃作为衬底，使得量子点发光层发出的光在BZO玻璃的陷光作用下，有效的减少了光在器件内部传播的损失，从而提升器件的出光效率，降低生产成本，并且相对于传统的ITO玻璃衬底，本发明提供的BZO玻璃衬底成本更低、适合大批量大面积生产，且环保无污染。 | ||
| 申请公布号 | CN106450034A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201611000126.4 | 申请日期 | 2016.11.14 |
| 申请人 | TCL集团股份有限公司 | 发明人 | 张东华;向超宇;李乐;辛征航;张滔 |
| 分类号 | H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)N | 主分类号 | H01L51/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人 | 王永文;刘文求 |
| 主权项 | 一种具有陷光结构的量子点发光二极管器件，依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层以及顶电极，其特征在于，所述衬底采用具有陷光结构的BZO玻璃。 | ||
| 地址 | 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 | ||