发明名称 一种用于PCB高导电的纳米银制备方法及设备
摘要 本发明公开了一种用于PCB高导电的纳米银制备方法及设备,该方法以硝酸银或高氯酸银为银源,采用液相还原法制备得到,本方法制备的纳米银导电性好,电阻率为2.×10<sup>‑3</sup>Ω·cm‑6.5×10<sup>‑3</sup>Ω·cm,可用于印刷电路板,该装置包括溶解釜Ⅰ、溶解釜Ⅱ、银盐化合物净化塔、还原剂净化塔、银盐化合物溶解釜、还原剂溶解釜、银盐化合物储液槽、还原剂储液槽、温控耐蚀反应釜、高效投料装置、离心分离机、银回收装置、温控鼓风干燥箱、尾气收集处理装置、废液处理装置、水离子交换设备;本方法操作工序简单,工序减少,装置结构简单,对规模化生产性设备要求降低,易于实现产业化。
申请公布号 CN104858447B 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201510197484.8 申请日期 2015.04.24
申请人 昆明理工大学 发明人 郜华萍;郭忠诚;王钲源;潘明熙;董国丽;王;何文豪;郜烨
分类号 B22F9/24(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 B22F9/24(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种用于PCB高导电纳米银的制备方法,其特征在于具体步骤如下:(1)将银盐化合物和还原剂分别溶解于去离子水中,然后分别加入银盐化合物质量0.1~2%的氨水络合银离子;(2)在净化后的银盐化合物溶液和还原剂溶液中分别加入分散剂,在常压、15℃~50℃条件下搅拌制得氧化液分散体系和还原液分散体系,其中分散剂的添加量为银盐化合物质量的0.5~10%;(3)在还原液分散体系中添加辅助剂,在常压、15℃~50℃条件下处理还原液分散体系,其中辅助剂的添加量为银盐化合物质量的1~6%;(4)调节氧化液分散体系pH为1~7后,将处理后的还原液分散体系倾倒入其中,在常压、10℃~80℃条件下反应30~45min制得纳米银胶体,银盐化合物与还原剂的摩尔比为1:0.5~4;(5)调节纳米银胶体温度为15℃~60℃、pH为1~5,富集纳米银胶体,富集的纳米银胶体经高速离心分离并经过去离子水与乙醇反复洗涤后获得湿纳米银粉;(6)将油酸或脂肪酸与无水乙醇配制成改性剂,将改性剂倾倒入湿纳米银粉中进行表面改性,油酸或脂肪酸的用量为湿纳米银粉质量的1%~3%,改性后离心分离、干燥即得到纳米银产品。
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