一种可组装的HIT太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种可组装的HIT太阳能电池，包括正面复合电极、复合P型掺杂层、第一复合本征半导体层、N型硅、第二复合本征半导体层、复合N型掺杂层和背面复合电极，其中，正面复合电极包括第一复合TCO透明导电薄膜和正面电极，背面复合电极包括第二复合TCO透明导电薄膜和背面电极。相应的，本发明还提供一种制备上述可组装的HIT太阳能电池的方法。本发明HIT电池的各层结构可任意拆开和再组合，当某层结构异常可将其替换，大大提高了电池的加工速度和工艺的简易程度。

主权项

一种可组装的HIT太阳能电池，其特征在于，包括正面复合电极、复合P型掺杂层、第一复合本征半导体层、N型硅、第二复合本征半导体层、复合N型掺杂层和背面复合电极，其中，所述正面复合电极包括第一复合TCO透明导电薄膜和正面电极，所述正面电极印刷在第一复合TCO透明导电薄膜上，所述第一复合TCO透明导电薄膜是在石墨烯层上沉积第一TCO透明导电薄膜形成的复合薄膜；所述复合P型掺杂层是在石墨烯层上沉积P型掺杂层形成的复合层；所述第一复合本征半导体层是在石墨烯层上沉积第一本征半导体层形成的复合层；所述第二复合本征半导体层是在石墨烯层上沉积第二本征半导体层形成的复合层；所述复合N型掺杂层是在石墨烯层上沉积N型掺杂层形成的复合层；所述背面复合电极包括第二复合TCO透明导电薄膜和背面电极，所述背面电极印刷在第二复合TCO透明导电薄膜上，所述第二复合TCO透明导电薄膜是在石墨烯层上沉积第二TCO透明导电薄膜形成的复合薄膜；所述正面复合电极、复合P型掺杂层、第一复合本征半导体层、N型硅、第二复合本征半导体层、复合N型掺杂层和背面复合电极经过层压后形成接触，层压的压强为1.1‑2.0个标准大气压；所述P型掺杂层为P型非晶硅、P型微晶硅、P型GaAs、P型CIGS或P型CdTe；所述N型掺杂层为N型非晶硅、N型微晶硅、N型GaAs、N型CIGS或N型CdTe。