电介质基材表面的金属化方法以及附有金属膜的电介质基材

摘要

本发明的电介质基材表面的金属化方法，对电介质基材表面进行使用稀有气体的大气压等离子体处理，生成过氧化物自由基，使接枝剂与其反应，将与银离子以配位键相结合的官能团固定，涂布含有式(1)的银化合物(A)10～50质量％和式(2)的胺化合物(B)50～90质量％的含银组合物，进行加热、固化形成银薄膜层，通过这样的方法，在虽然没有信号传播速度的延迟或消耗电量的增加而适宜作为电介质基材但密合性极低的氟树脂的表面，也能够形成具有高密合性的金属膜。(R¹：氢、－(CY₂)a－CH₃或－((CH₂)b－O－CHZ)c－CH₃、R²：－(CY₂)d－CH₃或－((CH₂)e－O－CHZ)f－CH₃。Y：氢原子或－(CH₂)g－CH₃、Z：氢原子或－(CH₂)h－CH₃。a：0～8的整数、b：1～4的整数、c：1～3的整数、d：1～8的整数、e：1～4的整数、f：1～3的整数、g：1～3的整数、h：1～2的整数。)

主权项

一种电介质基材表面的金属化方法，其特征在于，包括：对电介质基材的表面进行使用稀有气体的大气压等离子体处理，在表面生成过氧化物自由基的工序；使接枝剂与生成有所述过氧化物自由基的基材表面反应，将与银离子以配位键相结合的官能团固定的工序；和在固定有所述与银离子以配位键相结合的官能团的基材表面，涂布含银组合物，通过加热、固化形成银薄膜层的工序，所述含银组合物是含有下述式(1)所示的银化合物(A)和下述式(2)所示的胺化合物(B)的组合物，该组合物相对于银化合物(A)和胺化合物(B)的总计100质量％，含有银化合物(A)10～50质量％和胺化合物(B)50～90质量％，式中，R¹表示氢、－(CY₂)a－CH₃或－((CH₂)b－O－CHZ)c－CH₃，R²表示－(CY₂)d－CH₃或－((CH₂)e－O－CHZ)f－CH₃，其中，Y表示氢原子或－(CH₂)g－CH₃，Z表示氢原子或－(CH₂)h－CH₃，a是0～8的整数，b是1～4的整数，c是1～3的整数，d是1～8的整数，e是1～4的整数，f是1～3的整数，g是1～3的整数，h是1～2的整数。