发明名称 |
刻蚀硅片水膜去水装置 |
摘要 |
本发明涉及硅片生产设备技术领域,尤其是涉及一种刻蚀硅片水膜去水装置,包括水槽,所述水槽内转动设有若干用于输送硅片的输送辊,所述水槽外设有用于驱动输送辊转动的第一电机,所述水槽上转动设置有去水辊,所述去水辊位于所述输送辊上方且一一对应,所述去水辊外周面开设有若干第一环形槽,所述水槽外设有用于驱动去水辊转动的第二电机,所述输送辊与所述去水辊旋转方向相反,所述水槽上设有集水盒,所述集水盒上设有开口朝上的集水腔,本发明操作简单方便,能够有效去除硅片水膜多余的水,防止了硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小,为了达到要求的浓度,要不断的增加供酸量,无形中增加了生产成本的问题。 |
申请公布号 |
CN106449492A |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201611157688.X |
申请日期 |
2016.12.15 |
申请人 |
常州亿晶光电科技有限公司 |
发明人 |
孙铁囤;姚伟忠;徐天伟 |
分类号 |
H01L21/67(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 |
常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 |
代理人 |
郑云 |
主权项 |
一种刻蚀硅片水膜去水装置,其特征在于:包括水槽(1),所述水槽(1)内转动设有若干用于输送硅片(7)的输送辊(2),所述水槽(1)外设有用于驱动输送辊(2)转动的第一电机(3),所述水槽(1)上转动设置有去水辊(5),所述去水辊(5)位于所述输送辊(2)上方且一一对应,所述去水辊(5)外周面开设有若干第一环形槽(501),所述水槽(1)外设有用于驱动去水辊(5)转动的第二电机(8),所述输送辊(2)与所述去水辊(5)旋转方向相反,所述水槽(1)上设有集水盒(6),所述集水盒(6)上设有开口朝上的集水腔(601),所述集水盒(6)与所述去水辊(5)一一对应,所述集水盒(6)位于所述去水辊(5)靠近硅片(7)输入的一侧,所述集水盒(6)靠近相对应去水辊(5)的一侧为斜边(602),所述斜边(602)沿硅片(7)输送方向向上倾斜设置,所述斜边(602)的上端与所述去水辊(5)外周面接触,所述水槽(1)上设有将集水腔(601)与所述水槽(1)连通的通道。 |
地址 |
213000 江苏省常州市金坛市尧塘镇金武路18号 |