发明名称 |
一种自由集电极纵向PNP管及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开一种自由集电极纵向PNP管,包括P型衬底,P型衬底中心设有N‑阱,N‑阱外侧的P型衬底上设有外P+埋层,N‑阱中心设有内P+埋层,P型衬底上方覆盖有N‑外延层,N‑外延层由外向内嵌有外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区,外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区间隔设置,外P+隔离区的底部与外P+埋层的顶部相接,N+隔离区的底部与N‑阱的顶部相接;内P+隔离区的底部与内P+埋层的顶部相接;N‑外延层中心还设有N‑基区,N‑基区上设有N+基区,N‑基区中心设有P+发射区;发射极与N‑阱通过深磷短接,接器件工作电压,使N‑阱与P型衬底、内P+埋层形成的PN结构处于反偏状态,实现器件纵向集电自由,克服了传统纵向PNP管集电极必须固定在最低电位的缺点。 |
申请公布号 |
CN106449740A |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201610715458.4 |
申请日期 |
2016.08.25 |
申请人 |
华东光电集成器件研究所 |
发明人 |
姜楠;简崇玺;赵建强;陈计学;赵娟 |
分类号 |
H01L29/732(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/732(2006.01)I |
代理机构 |
安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 |
代理人 |
陈俊 |
主权项 |
一种自由集电极纵向PNP管,其特征在于,包括P型衬底,P型衬底中心设有N‑阱,N‑阱外侧的P型衬底上设有外P+埋层,N‑阱中心设有内P+埋层,P型衬底上方覆盖有N‑外延层,N‑外延层由外向内嵌有外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区,外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区间隔设置,外P+隔离区的底部与外P+埋层的顶部相接,N+隔离区的底部与N‑阱的顶部相接;内P+隔离区的底部与内P+埋层的顶部相接;N‑外延层中心还设有N‑基区,N‑基区上设有N+基区,N‑基区中心设有P+发射区;P+发射区顶部、N+基区顶部与内P+隔离区顶部分别引出发射极、基极与集电极。 |
地址 |
233042 安徽省蚌埠市经济开发区财院路10号 |