发明名称 半导体陶瓷组合物和PTC热敏电阻
摘要 本发明提供一种即使在大气中烧结也可以容易地半导体化,常温电阻率小,即使长时间通电也可以抑制电阻值的经时劣化,并且耐受电压大的居里温度为120℃以上的BaTiO<sub>3</sub>系半导体陶瓷组合物以及PTC热敏电阻。所述半导体陶瓷组合物以式(1)所表示的化合物作为主成分。(Ba<sub>v</sub>Bi<sub>x</sub>A<sub>y</sub>RE<sub>w</sub>)<sub>m</sub>(Ti<sub>u</sub>TM<sub>z</sub>)O<sub>3</sub>(1)(A为Na和K,RE为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy和Er中的至少1种,TM为选自V、Nb和Ta中的至少1种)、0.01≤x≤0.15(2)、x≤y≤0.3(3)、0≤(w+z)≤0.01(4)、v+x+y+w=1(5)、u+z=1(6)、0.950≤m≤1.050(7),进一步含有0.001~0.055mol的Ca,Na/(Na+K)的比为0.1以上且小于1。
申请公布号 CN106431390A 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201610627105.9 申请日期 2016.08.03
申请人 TDK株式会社 发明人 藤田一孝;伊藤和彦;志村寿一
分类号 C04B35/468(2006.01)I;H01C7/02(2006.01)I 主分类号 C04B35/468(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 杨琦;沈央
主权项 一种半导体陶瓷组合物,其特征在于,具备以下述通式(1)所表示的BaTiO<sub>3</sub>系化合物为主成分的烧结体,(Ba<sub>v</sub>Bi<sub>x</sub>A<sub>y</sub>RE<sub>w</sub>)<sub>m</sub>(Ti<sub>u</sub>TM<sub>z</sub>)O<sub>3</sub>  (1)上述通式(1)中,上述A同时包含Na和K这2种元素,上述RE为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy和Er中的至少1种元素,上述TM为选自V、Nb和Ta中的至少1种元素,w、x、y、z和m满足下述式(2)~(7),0.01≤x≤0.15  (2)x≤y≤0.3    (3)0≤(w+z)≤0.01  (4)v+x+y+w=1    (5)u+z=1        (6)0.950≤m≤1.050  (7)进一步,相对于1mol的Ti位点即Ti和TM的总摩尔数,以元素换算以0.001mol以上且0.055mol以下的比例含有Ca,并且Na/(Na+K)的比为0.1以上且小于1。
地址 日本东京都
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