| 摘要 |
본 발명은, 증착 동안 기판의 상이한 위치들을 향해 도펀트 가스들을 공급하도록 구성된 에피택셜 챔버의 상이한 위치들에 형성된 이중 또는 다중 도펀트 유입구들을 갖는, 반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 장치 및 방법들을 제공한다. 일 실시예에서, 에피택셜 증착 챔버에 커플링되도록 구성된 가스 전달 시스템은, 제 1 단부 및 에피택셜 증착 챔버에 배치되도록 구성된 제 2 단부를 갖는 가스 도관을 포함하고, 제 1 단부는 가스 패널에 커플링되며, 제 2 단부는, 보조 내측 도펀트 유입구 및 보조 외측 도펀트 유입구를 포함하도록 분기되고, 보조 내측 도펀트 유입구 및 보조 외측 도펀트 유입구는, 에피택셜 증착 챔버에서 구현될 때, 독립적으로 제어된다. |
