| 摘要 |
본 발명은 감광막 패턴의 한계를 극복하여 미세한 홀 패턴의 형성을 가능케 하고, 몰드층의 종류에 관계없이 적용가능한 반도체 장치의 홀 패턴 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 피식각층 상에 하드마스크층을 형성하는 단계; 상기 하드마스크층 상에 제1카본막을 형성하는 단계; 상기 하드마스크층 상에 제1방향으로 연장된 제1스페이서패턴을 형성하는 단계; 상기 제1스페이서패턴 상부에 상기 제1방향에 수직하는 제2방향으로 연장된 제2스페이서패턴을 형성하는 단계; 상기 제1스페이서패턴 및 제2스페이서패턴을 식각장벽으로 상기 제1카본막을 식각하는 단계; 식각된 상기 제1카본막을 식각장벽으로 상기 하드마스크층을 식각하여 메쉬(Mesh)형의 하드마스크 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 메쉬형의 하드마스크 패턴을 식각장벽으로 상기 피식각층을 식각하여 홀 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. |
