| 摘要 |
본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는 반도체 층, 상기 반도체 층 내에 배치되며, 상기 반도체 층의 단위 화소 영역을 정의하는 제 1 분리막, 상기 단위 화소 영역의 상기 반도체 내에 배치되는 제 1 광전 변환 소자 및 제 2 광전 변환 소자, 및 상기 단위 화소 영역의 상기 반도체 층 내에 배치되며, 상기 제 1 광전 변환 소자과 상기 제 2 광전 변환 소자 사이에 배치된 제 2 분리막을 포함하되, 상기 제 1 분리막은 상기 제 1 광전 변환 소자 및 상기 제 2 광전 변환 소자를 둘러싸고, 상기 제 1 분리막은 수직 반사막을 포함할 수 있다. |
