| 摘要 |
3원계 이상의 화합물 반도체를 기판 위에 퇴적시킴과 아울러 그 발광 파장을 나노미터 오더로 조정하는 것이 가능한 화합물 반도체의 퇴적 방법을 제공한다. 3원계 이상의 화합물 반도체를 기판 위에 퇴적시키는 화합물 반도체의 퇴적 방법에 있어서, 화합물 반도체를 기판(13) 위에 퇴적시키면서, 당해 화합물 반도체의 원하는 이상적인 여기에너지보다도 작은 에너지의 전파광을 당해 기판(13) 위에 조사하여, 기판(13) 위에 퇴적된 화합물 반도체의 미립자로부터 상기 조사된 전파광에 기초하는 근접장광을 발생시키고, 발생시킨 근접장광에 기초하여 화합물 반도체에 대하여 새로운 진동 준위를 다단계에 걸쳐 형성시키고, 이 새로운 진동 준위 중 전파광이 지닌 에너지 이하의 여기에너지를 갖는 진동 준위를 통하여, 화합물 반도체에서의 당해 여기에너지에 대응하는 성분을 당해 전파광에 의해 여기시켜, 이것을 탈리시킨다. |
