发明名称 METHOD OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT FABRICATION
摘要 반도체 집적 회로(IC)를 제조하는 방법이 개시된다. 일 실시예에 있어서, 물질층이 기판 위에 형성되고, 또한 제1 하드 마스크(HM) 피쳐가 물질층 위에 형성된다. HM 피쳐는 제1 폭을 갖는 상부 부분, 및 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 갖는 하부 부분을 포함한다. 또한, 상기 방법은 제1 HM 피쳐의 측벽을 따라 스페이서를 형성하는 것, 스페이서를 제1 에칭 마스크로서 사용함으로써 물질층 위에 제2 HM 피쳐를 형성하는 것, 및 제2 HM 피쳐를 제2 에칭 마스크로서 사용함으로써 물질층에 패터닝된 피쳐를 형성하는 것을 포함한다.
申请公布号 KR101708537(B1) 申请公布日期 2017.02.20
申请号 KR20140193908 申请日期 2014.12.30
申请人 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 发明人 옌 융-슝
分类号 H01L29/66;H01L29/417;H01L29/78 主分类号 H01L29/66
代理机构 代理人
主权项
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