| 发明名称 |
III-V/ Group III-V/Zinc Chalcogenide Alloyed Semiconductor Quantum Dots |
| 摘要 |
아연 염 및 티올 또는 셀레놀 화합물로부터 인시튜로 제조된 II-VI족 분자 파종 클러스터의 존재하에서 크기 분포가 좁고, 밝고, 단분산성의, 광-발광 양자점의 스케일 가능한 방법. 예시적인 양자점은 인듐, 인, 아연 및 황 또는 셀레늄을 함유하는 코어를 가진다. |
| 申请公布号 |
KR20170018468(A) |
申请公布日期 |
2017.02.17 |
| 申请号 |
KR20177003545 |
申请日期 |
2014.03.13 |
| 申请人 |
나노코 테크놀로지스 리미티드 |
发明人 |
다니엘스, 스티븐;해리스, 제임스;글라베이, 폴, 앤써니;오차드, 캐서린;나라야나스와미, 아룬 |
| 分类号 |
H01L33/06;C09K11/02;C09K11/70 |
主分类号 |
H01L33/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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