| 摘要 |
제조 중에, 제2 산화물층이 구조의 제1 영역 및 제2 영역 위에 배치된다. 제2 영역은 제2 산화물층과 에피택셜층 사이에 제1 산화물층을 포함한다. 제1 영역은 금속-절연체-반도체 전계 효과 트랜지스터(MISFET)의 활성 영역에 대응하고, 제1-형 도펀트 소스 영역, 제2-형 도펀트 바디 영역 및 제2-형 도펀트 주입 영역은 제1 영역 내에 형성된다. 제2 영역은 MISFET의 종단 영역에 대응한다. 마스크는 제2 영역 위에 형성되고, 갭을 통해 노출된 제2 산화물층 및 제1 산화물층의 부분들이 제거되어 에피택셜층이 노출된다. 제2-형 도펀트는 제1 및 제2 산화물층 내 결과적인 개구를 통해 에피택셜층에 증착되어, MISFET용 필드 링을 형성한다. |
