| 摘要 |
【課題】半導体装置のコストの増大を抑制しつつ、ＥＳＤ耐性をより向上すること。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第１の電源電圧ラインと第１の基準電圧ラインとの間に接続される第１の回路ブロックと、第２の電源電圧ラインと第２の基準電圧ラインとの間に接続され、第１の回路ブロックとの間で信号を送受信する第２の回路ブロックと、第２の電源電圧ラインと第１の基準電圧ラインとの間の電位差をクランプする第１のクランプ回路と、第２の電源電圧ラインと第２の回路ブロックとの間に接続され、第１のクランプ回路のインピーダンスよりも大きい抵抗値を有する抵抗回路と、抵抗回路及び第２の回路ブロックを接続するラインと第１の基準電圧ラインとの間の電位差をクランプする第２のクランプ回路とを備える。【選択図】図４Ｂ |
