半導体装置およびその製造方法

摘要

【課題】半導体装置の性能向上を図る。【解決手段】素子分離部ＳＴＩは、ＳＯＩ基板から突出し、かつ、積み上げ層ＰＵＬと接触する突出部ＰＪＵを有する。そして、ＳＯＩ基板のシリコン層ＳＩＬの表面を基準として、突出部ＰＪＵの上面の高さは、積み上げ層ＰＵＬの上面の高さ以下で、かつ、積み上げ層ＰＵＬの上面の高さの１／２以上であるように構成される。【選択図】図２