| 摘要 |
【課題】チャネル長Ｌが短く微細化が可能な、酸化物半導体を用いたトップゲート型の半導体素子を提供することを課題とする。また、該半導体素子の作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】絶縁表面上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上にゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上にゲート電極層とを有し、ソース電極層及びドレイン電極層は側壁を有し、側壁は前記酸化物半導体層の上面と接する半導体素子である。【選択図】図１ |
