不揮発性半導体メモリ

摘要

【課題】書き込み電流の最適化を図る。【解決手段】実施形態に係わる不揮発性半導体メモリは、直列接続される抵抗変化素子R及びトランジスタTを含むメモリセルMCと、トランジスタTの制御端子に接続される第１の導電線WLと、第１の書き込みにおいて、第１の電位を第１の導電線WLに印加し、第２の書き込みにおいて、第１の電位よりも大きい第２の電位を第１の導電線WLに印加するドライバと、を備える。【選択図】図１