发明名称 |
蛍光SiC材料の気相成長装置及び蛍光SiC材料の気相成長方法 |
摘要 |
【課題】蛍光SiC中のドナー不純物の濃度とアクセプタ不純物の濃度の差を的確に制御することのできる蛍光SiC材料の気相成長装置及び蛍光SiC材料の気相成長方法を提供する。【解決手段】Si及びCが容器内で結晶原料固体を昇華することにより提供され、蛍光SiC材料の気相成長時に、ドナー不純物とアクセプタ不純物の少なくとも一方が不純物原料気体を容器内へ導入することで提供される蛍光SiC材料の気相成長方法であって、蛍光SiC材料の成長時に、容器内にて検出された不純物原料気体の検出気体分圧と、成長後の蛍光SiC材料におけるドナー不純物及びアクセプタ不純物の濃度の差が所定の目標値となる不純物原料気体の目標分圧と、に基づいて、容器内における不純物原料気体の分圧を目標分圧に近づくよう連続的に調整する。【選択図】図5 |
申请公布号 |
JP2017037944(A) |
申请公布日期 |
2017.02.16 |
申请号 |
JP20150157781 |
申请日期 |
2015.08.07 |
申请人 |
エルシード株式会社 |
发明人 |
難波江 宏一;北野 司;藤元 直樹;近藤 俊行;前田 智彦;董 林;ヨハン エクマン |
分类号 |
H01L21/203;C23C14/06;C23C14/24;C30B23/06;C30B29/36;H01L33/02 |
主分类号 |
H01L21/203 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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