半導体装置

摘要

半導体装置を、基板（１０）の上方に少なくとも電子走行層（１３）及び電子供給層（２３）を含む半導体積層構造（２２）を備え、電子供給層が、第１部分（１５〜１７）と、第１部分を挟む第２部分（１４、１８）とを有し、第１部分が、第２部分よりも伝導帯のエネルギーが高く、かつ、ｎ型不純物がドーピングされたドーピング部（１６）と、ドーピング部を挟み、不純物がドーピングされていないアンドーピング部（１５、１７）とを有するものとする。