| 摘要 |
この半導体装置（１００）は、ｎドリフト領域（２）上に配置されるｐアノード領域（４）と、ｎドリフト領域（２）上にｐアノード領域（４）と接して配置されるｐ拡散領域（５）を備える。ｎ-領域（３）上にｐ拡散領域（５）と接して配置される抵抗領域（６）と、複数本のｐガードリング領域（８）と、ｐガードリング領域（８）と離して配置されるｐストッパ領域（９）を備える。ｐ拡散領域（５）を設けることで、逆回復時にｐアノード領域に集中する正孔の引き抜きが抑制されて、高い、逆回復耐量を有する半導体装置を提供できる。 |
