| 摘要 |
Es werden Verfahren zur Bildung von Epitaxialschichten, die n-dotiertes Silizium enthalten, offenbart. Konkrete Ausführungsformen betreffen die Bildung und Behandlung von Epitaxialschichten in Halbleiterbauelementen, zum Beispiel Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistor(MOSFET)-Bauelementen. In konkreten Ausführungsformen beinhaltet die Bildung der n-dotierten Epitaxialschicht das Inkontaktbringen eines Substrats in einer Prozesskammer mit Abscheidungsgasen, die eine Siliziumquelle, eine Kohlenstoffquelle und eine n-Dotandenquelle enthalten, bei einer ersten Temperatur und einem ersten Druck und dann das Inkontaktbringen des Substrats mit einem Ätzmittel bei einer zweiten, höheren Temperatur und einem höheren Druck als während der Abscheidung. |
