化合物半導体積層体及び半導体装置

摘要

電気抵抗率が１×１０５Ωｃｍ以上の基板（１０１）と、基板（１０１）上に形成され、炭素がドーピングされたＩｎとＳｂを含む第一の化合物半導体層（１０２）と、第一の化合物半導体層（１０２）上に形成され、第一の化合物半導体層（１０２）よりも炭素の濃度が小さく、且つＩｎとＳｂを含む第二の化合物半導体層（１０３）と、を備える。第一の化合物半導体層（１０２）の膜厚は０．００５μｍ以上、０．２μｍ以下である。また、第一の化合物半導体層（１０２）の炭素の濃度は１×１０１５ｃｍ−３以上、５×１０１８ｃｍ−３以下である。