| 摘要 |
【課題】マイグレーションによる影響を抑制して、信頼性を向上させる。【解決手段】半導体装置１は、半導体素子２０，２１を収納する樹脂ケース３０と、樹脂ケース３０の底面の主面に隙間を設けて配置された複数のリードフレーム３１と、隣接するリードフレーム３１間の隙間に、当該隣接するリードフレーム３１に沿って配置されたブロック部３５とを有する。半導体装置１は、ブロック部３５を配置することで、ブロック部３５を配置せずリードフレーム３１間が平らな場合と比較して、沿面距離を長くできる。このため、マイグレーションによりリードフレーム３１等を構成する金属原子が絶縁物の上や界面を移動してもリードフレーム３１間に導通パスが形成されにくくなり、ブロック部３５を挟んで隣接するリードフレーム３１は、短絡しにくくなる。その結果、半導体装置１は、信頼性を向上させることができる。【選択図】図１ |
