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Integrierte laterale Leistungsschaltung, umfassend einen Halbleiterkörper, umfassend: – eine erste und eine zweite Mulde von einem ersten Leitfähigkeitstyp, die sich zu einer ersten horizontalen Oberfläche erstrecken, wobei die zweite Mulde eine laterale Leistungshalbleiterstruktur umfasst, wobei die erste Mulde eine vergrabene Schicht vom ersten Leitfähigkeitstyp in einem unteren Abschnitt umfasst, wobei die vergrabene Schicht eine Dotierungskonzentration umfasst, die die Dotierungskonzentration eines angrenzenden oberen Abschnitts der ersten Mulde übersteigt; – ein erstes Halbleitergebiet von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, das sich zu einer zweiten horizontalen Oberfläche erstreckt, die der ersten horizontalen Oberfläche gegenüberliegt; – eine Siliziumschicht, die zwischen der ersten Oberfläche und dem ersten Halbleitergebiet angeordnet ist, wobei die Siliziumschicht poly-Si und/oder amorphes Silizium umfasst; – ein Isoliergebiet, das die erste Mulde und die Siliziumschicht voneinander isoliert; und – einen vertikalen Graben, der die erste und zweite Mulde voneinander isoliert und sich von der ersten horizontalen Oberfläche mindestens zu dem Isoliergebiet erstreckt. |
