发明名称 |
ヒータユニット |
摘要 |
【課題】温度の面内均一性が高い半導体製造装置を提供する。【解決手段】ヒータユニット10は、冷却流路を有する基材310と、基材の上方に配置され、発熱体を有するヒータ部320と、基材とヒータ部との間に配置された断熱層130と、を有する。ここで、断熱層の熱伝導率は、基材の熱伝導率よりも低くてもよい。また、断熱層は、気孔を包含するSUSであってもよい。また、ヒータユニットは発熱体を覆う絶縁体をさらに有し、断熱層の熱伝導率は絶縁体の熱伝導率よりも低くてもよい。【選択図】図2 |
申请公布号 |
JP2017037721(A) |
申请公布日期 |
2017.02.16 |
申请号 |
JP20150156629 |
申请日期 |
2015.08.07 |
申请人 |
日本発條株式会社 |
发明人 |
花待 年彦;関谷 健二;▲高▼原 剛;光田 拓史;相川 尚哉 |
分类号 |
H05B3/20;H01L21/683;H05B3/28 |
主分类号 |
H05B3/20 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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