差動測定に基づくイオンセンサーおよび製造方法

摘要

一組のＩＳＦＥＴ−ＲＥＦＥＴを備える差動測定に基づくイオンセンサーであって、ＲＥＦＥＴは内部の参照溶液を含むマイクロリザーバにより覆われたＩＳＦＥＴからなる構造体により定義される。センサーは、第１および第２のイオン選択性電界効果トランジスタ、電極、並びに２つのトランジスタ、接続トラック、および電極がその表面上に一体化された基材、並びに前記第１のトランジスタのゲート上にマイクロリザーバを形成する第１のイオン選択性電界効果トランジスタの上に接着され、マイクロリザーバはマイクロリザーバを外部と連結するマイクロチャンネルを有し、マイクロリザーバは参照溶液で充填されている構造体を備える。【選択図】図１