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Feldplattentrenchtransistor (20, 30, 40, 50, 60) mit einem Halbleiterkörper (3), in dem mehrere Trenches (9), die durch Mesagebiete (42) voneinander getrennt werden, ausgebildet sind, wobei in den Trenches (9) jeweils eine erste oder eine zweite Gateelektrode (11, 11a), die zur Steuerung eines vertikalen Stromflusses durch den Halbleiterkörper (3) hindurch dienen, sowie Feldelektroden (12), die unterhalb der Gateelektroden angeordnet sind und auf Sourcepotenzial oder auf einem anderen geeigneten Potenzial liegen oder floaten, vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Gateelektroden (11) von den darunter liegenden Feldelektroden (12) elektrisch isoliert sind und auf Gatepotenzial liegen, und die zweiten Gateelektroden (11a) von den darunter liegenden Feldelektroden (12) elektrisch isoliert oder mit diesen verbunden sind und auf einem Potenzial liegen, das sich vom Gatepotenzial unterscheidet. |
