| 摘要 |
半導体基板ＳＢ上に第１絶縁膜を介してコイルＣＬ１が形成され、第１絶縁膜およびコイルＣＬ１を覆うように第２絶縁膜が形成され、第２絶縁膜上にパッドＰＤ１が形成されている。第２絶縁膜上には、パッドＰＤ１の一部を露出する開口部ＯＰ１を有する積層膜ＬＦが形成され、前記積層絶縁膜上にコイルＣＬ２が形成されている。コイルＣＬ２はコイルＣＬ１の上方に配置され、コイルＣＬ２とコイルＣＬ１とは磁気的に結合されている。積層膜ＬＦは、酸化シリコン膜ＬＦ１と、その上の窒化シリコン膜ＬＦ２と、その上の樹脂膜ＬＦ３とからなる。 |
