| 摘要 |
【課題】超接合構造を有する半導体素子の温度検出と耐圧低下の抑制を有効に両立させる。【解決手段】半導体素子１は、第１導電型領域３１ａ〜３１ｈの内部に複数の第２導電型のカラム３２ａ〜３２ｇが同一間隔で設けられた超接合構造を有するドリフト層３と、第１導電型領域３１ａ〜３１ｈの表面層に周期的に設けられた第２導電型の複数のウェル領域４ａ〜４ｇと、複数のウェル領域４ａ〜４ｇ内に選択的に設けられた第１導電型のソース領域６ａ〜６ｃ、６ｌ〜６ｎと、ウェル領域４ａ〜４ｇの上に設けられたゲート絶縁膜７ａ〜７ｃ、７ｆ〜７ｈと、ゲート絶縁膜７ａ〜７ｃ、７ｆ〜７ｈの上に周期的に設けられた複数のゲート電極８ａ〜８ｃ、８ｆ〜８ｈと、ゲート電極８ａ〜８ｃ，８ｆ〜８ｈの周期的な構造に調和してゲート電極８ａ〜８ｃ，８ｆ〜８ｈと同一線幅及び同一厚みで設けられた第１及び第２温度検出ダイオードＤｔｅｍｐ１，Ｄｔｅｍｐ２と、を備える。【選択図】図１ |
