発光デバイス

摘要

【課題】ＧａＮをベースにした縦形態のデバイスを提供する。【解決手段】発光デバイスは、下から順に、金属支持層１５６と、ｐ型コンタクト層１５０と、ｐ型半導体層、能動層１２６及びｎ型半導体層を含む半導体構造と、ｎ型コンタクト層１６０と、金属パッド層とを含み、半導体構造の側面を覆い且つｎ型コンタクト層の上面を覆わない不活性層１６２を含む。金属支持層はＮｉを含み、ｐ型コンタクト層はＰｔを含み、半導体構造はＧａＮを含み、ｎ型コンタクト層はＴｉ及びＡｌを含み、金属パッド層はＡｕを含み、不活性層はＳｉＯ２を含む。半導体構造の厚さは５μｍ未満であり、ｐ型半導体層はｎ型半導体層よりも厚く、半導体構造においてｐ型半導体層が占める厚さの割合は６０％より高い。半導体構造の幅はｐ型、ｎ型コンタクト層の幅よりも広く、ｐ型コンタクト層の幅はｎ型コンタクト層の幅よりも広い。半導体構造の上面と下面は表面粗さが異なる。【選択図】図１５