半導体装置およびその製造方法

摘要

【課題】空間電荷制限電流の伝導特性を用いた半導体装置が、高温で安定動作し、より小型にできるようにする。【解決手段】キャリア走行層１０１と、キャリア走行層１０１の一方の面に接して形成された第１キャリア供給層１０２と、キャリア走行層１０１の他方の面に接して形成された第２キャリア供給層１０３とを備える。キャリア走行層１０１は、バンドギャップエネルギーが３ｅＶ以上の半導体から構成されて空間電荷制限電流によりキャリアの輸送特性が律速される状態とされている。【選択図】 図１Ａ